赛晶科技(HK0580)投研分析

结论/核心观点

赛晶科技正处于"传统业务稳健+储能爆发+半导体自研"三线共振的成长拐点,但当前股价已充分反映预期,25倍PE对应6%ROE的估值性价比偏弱。

2025财年公司营收22.55亿元(+40%),归母净利润1.38亿元(+35%),创历史新高。核心矛盾在于:收入增速与利润增速严重不匹配——毛利率从32.3%下滑至25.2%,净利率仅5.9%。这反映出公司处于"以价换量"的扩张期,储能和半导体新业务尚未形成规模效应。

从周期定位看,公司横跨三条赛道:①直流输电/柔性输电(电网投资周期上行);②新能源发电及储能(装机爆发期);③功率半导体(国产替代加速)。三条赛道均处于产业上行期,但公司在这三个领域的竞争地位差异巨大——直流输电配套器件有先发优势,储能业务是后来者,自研IGBT/SiC芯片仍处于导入期。

核心判断:产业方向正确,但护城河深度不足,当前估值缺乏安全边际。


逻辑与数据论证

产业层面

周期定位:三条赛道均处上行期,但竞争格局分化

赛道 行业增速 赛晶地位 竞争格局
直流输电/柔性输电 电网投资年增10-15% 国内领先,阳极饱和电抗器独家 寡头格局,客户粘性强
新能源发电及储能 装机年增50%+ 快速追赶者(收入+111%) 红海竞争,价格战激烈
功率半导体(IGBT/SiC) 国产替代加速 自研芯片导入期 与斯达半导、士兰微、时代电气正面竞争

技术趋势判断: - 柔性直流输电是海上风电并网的必选项,2026-2028年将迎来海上风电装机高峰,带动柔直设备需求 - SiC芯片在数据中心、光伏逆变器、充电桩场景渗透率快速提升,但赛晶自研芯片刚起步,2026年目标研发开支2亿元+,属于重投入期 - 与湖南三安战略合作(SiC材料与模块封装互补)是务实选择,但核心芯片良率和成本控制仍需验证

公司层面

财务拆解:收入高增掩盖了盈利质量下滑

指标 FY2024 FY2025 变化
营收(亿元) 16.10 22.55 +40%
归母净利润(亿元) 1.09 1.38 +35%
毛利率 32.3% 25.2% -7.1pp
净利率 5.3% 5.9% +0.6pp
ROE 5.3% 6.4% +1.1pp
应收账款/营收 121.7% 90.8% 改善
经营现金流(亿元) -0.87 -0.15 改善但为负

关键发现: 1. 毛利率断崖式下滑:从32.3%降至25.2%,主要因储能业务占比提升(该业务毛利率显著低于传统直流输电业务),以及半导体业务处于投入期 2. 经营现金流持续为负:2023-2025三年经营现金流合计-2.67亿元,利润质量存疑 3. 应收账款高企:应收/营收比虽从136%降至91%,但绝对额从11.6亿增至12.4亿,下游客户回款周期长 4. 研发投入加大:2026年目标研发开支超2亿元(占营收9%),方向明确但回报周期不确定

护城河评估: - 直流输电配套器件:阳极饱和电抗器为国内唯一自主技术,层叠母排/直流支撑电容器为国内首个,具备技术壁垒和客户粘性(国家电网/南方电网),护城河中等偏强 - 储能业务:无显著差异化,进入门槛低,护城河 - 自研功率半导体:团队源自前ABB半导体,技术起点高,但芯片良率、客户认证、产能爬坡均未验证,护城河尚未形成

价值投资维度

安全边际测算:

估值方法 假设 内在价值(港元/股) 当前价(2.72港元) 安全边际
PE法(5年历史30%分位) 15x FY2026E EPS ~1.80 2.72 -51%
PB法 1.2x BVPS ~1.90 2.72 -43%
DCF(保守) WACC=9%, g=2% ~2.10 2.72 -30%

结论:三种估值方法均显示当前价格高估30-50%,缺乏安全边际。

护城河类型: - 现有业务以技术壁垒+客户粘性为主(直流输电配套),但非不可替代 - 新业务(储能、半导体)护城河尚未建立 - 整体护城河评级:窄护城河(Narrow Moat)

管理层能力评估: - 董事长项颉、副董事长孟繁琨2025年各增持2000万股,显示管理层信心 - 持续回购(2024-2025年多次回购),但回购规模小(单次几万到几十万港元),象征意义大于实质 - 研发投入方向明确(柔性输电监测、2300V IGBT、SiC芯片、脉冲功率开关),战略执行力待验证

成长性与估值匹配度: - 2025年营收+40%、利润+35%,增速不错但毛利率下滑 - 2026年目标研发开支2亿+,短期压制利润 - 28.5倍PE对应6.4%ROE,估值与盈利质量严重不匹配

验证与类比

产业链上下游验证: - 上游:与湖南三安签署SiC战略合作,补齐材料端短板 - 下游:2026年5月与思源电气签署战略合作协议,拓展IGBT应用场景 - 客户:国家电网/南方电网为主,回款周期长但坏账风险低

历史类比: - 类似2019年的斯达半导(603290):自研IGBT芯片导入期,营收高增但利润波动大,随后2年随芯片放量实现利润爆发 - 差异点:斯达半导当时已实现芯片自供率50%+,赛晶自研芯片刚起步,落后2-3个产品周期


风险提示

  1. 毛利率继续下滑风险:储能业务占比提升+半导体投入期,若2026年毛利率跌破22%,净利润增速将低于营收增速20pp以上
  2. 自研芯片商业化不及预期:IGBT/SiC芯片从流片到车规级认证需2-3年,2026年研发开支2亿+若无法转化为收入,将拖累ROE至5%以下
  3. 应收账款坏账风险:应收绝对额12.4亿,占营收55%,若电网客户回款进一步延迟,经营现金流可能转负扩大至-2亿+

催化剂

  1. 自研SiC芯片量产交付(2026H2-2027H1):与湖南三安合作SiC模块若实现批量供货,将打开数据中心/光伏逆变器市场,预计贡献营收3-5亿/年
  2. 海上风电柔直项目中标(2026-2027年):海上风电并网带动柔直设备需求,若获得大型柔直项目订单(单笔5亿+),将显著提升利润率
  3. 储能业务海外突破(2026H2):目前海外收入占比仅5%,若进入欧洲/北美储能市场,毛利率有望提升5-8pp

分析师:William(新财富白金分析师) 日期:2026年5月27日 数据来源:上市公司公告、同花顺问财、公司路演纪要 免责声明:本报告仅供参考,不构成投资建议